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消息面上，據(jù)深圳市國(guó)資委消息，由市屬國(guó)企深重投集團(tuán)與市科技創(chuàng)新局聯(lián)合打造的國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)（簡(jiǎn)稱“國(guó)創(chuàng)中心”）在氮化鎵/碳化硅集成領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展。該國(guó)創(chuàng)中心在國(guó)際上首次研制了商用8英寸4°傾角4H-SiC襯底上的高質(zhì)量氮化鋁鎵/氮化鎵異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延，能顯著降低氮化鎵外延材料的缺陷密度，大幅提升散熱性能，各項(xiàng)指標(biāo)均達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平，有望從根本上解決其可靠性問題。這一成果打破了大尺寸氮化鎵與碳化硅材料單片集成的技術(shù)瓶頸，可批量應(yīng)用于大尺寸、高質(zhì)量氮化鎵外延材料制備，為現(xiàn)有硅基氮化鎵技術(shù)路線提供了一種極具競(jìng)爭(zhēng)力的替代方案，為氮化鎵/碳化硅混合晶體管的發(fā)展和產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程奠定基礎(chǔ)。  

機(jī)構(gòu)表示，隨著5G技術(shù)、汽車、無(wú)線通信、航天航空等技術(shù)的高速發(fā)展，電氣化程度的提高對(duì)耐高溫、耐高壓、高頻及大功率的性能有著迫切需求。氮化鎵作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體的代表之一，擁有寬禁帶、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率和高電子漂移速率等優(yōu)點(diǎn)，制備出的氮化鎵器件導(dǎo)通電阻小、電子遷移率高、熱導(dǎo)性好而且在散熱、能耗、體積等方面也有著很大的優(yōu)勢(shì)，可以極大地提升新興電力電子器件的性能，還能達(dá)到節(jié)省能源的效果。

天風(fēng)證券指出，為獲得性能更優(yōu)的氮化鎵器件以搶占市場(chǎng)份額，各大廠商正在在垂直型結(jié)構(gòu)和提高集成度等方向上尋求技術(shù)突破。隨著氮化硅功率器件的性能及性價(jià)比的進(jìn)一步提升，未來在高、中、低電壓場(chǎng)景下都將有很大的發(fā)展?jié)摿Γ春闷湓谄囯姎庀到y(tǒng)、大規(guī)模集成電路、無(wú)線通訊等領(lǐng)域的發(fā)展。